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MOS管 G1006A替LJY4N01/NCE0106Z GOFORD 100V 6A

品牌：GOFORD型号：G1006A to-92类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：其他封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：100V工作电流：6A温馨提示：由于产品种类繁多，价格无法一一叙述，只作形式上标价，不作双方买卖价格，如有需要请联系我们的销售，以销售最终报
21N06 成品和晶圆晶元厂家直销欢迎来询 GOFORD

品牌：GOFORD型号：21N06晶圆类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：其他封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：60V工作电流：21A 产品型号：GOFORD21N06 参数：60V 21A 封装：To-252备注：21N06对管25P06均有 LED汽车前灯等用厂家供应大量
60N04 成品和晶圆晶元厂家直销欢迎来询 GOFORD

品牌：GOFORD型号：60N04晶圆类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：其他封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：40V工作电流：60A 产品型号：GOFORD G60N04(替代：STU432/NCE4060K/NTD5406NT4G/QM4006D) 参数：40V 60A 8mΩ 封装：T0-252
80N06 成品和晶圆晶元厂家直销欢迎来询 GOFORD

品牌：GOFORD型号：80N06晶圆类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：其他封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：60V工作电流：80A 产品型号：GOFORD G80N06（替代：STD80N6F6 NCE6080K VSD012N08MS RU6080L TK80S06K3L）参数：60V 80A